氮化鎵晶體管特性：可耐受極度高溫，并且其頻率和功率特性遠遠高于硅、砷化鎵、碳化硅、以及迄今為止所制造的所有半導體器件。此類器件的頻率和功率處理能力對于為技術領域帶來革命的高級通信網絡中的放大器、調制器和其它關鍵器件非常重要。
　　氮化鎵(GaN)晶體管可將基站放大器的效率提高到現在的兩倍或三倍，因此可以用較少數量的基站覆蓋同樣的地區，或者，更可能的情況是，在基站數量不變的情況下提供更高的數據傳輸速率。由于不再需要強力風扇和校正電路，整個基站有可能縮小到只有小型電冰箱的大小，可以安裝在電線桿上，而不必占據電話公司中心局中昂貴的空間。
　　這一速度、高功率和耐熱性能的組合還使GaN晶體管適合無數的其它應用。GaN晶體管對此類電路非常理想。它的與眾不同之處在于結合了碳化硅的高擊穿場強和砷化鎵、鍺硅或磷化銦材料的高頻率特性。當然對于半導體而言，性能和成本將決定最終的贏家。目前在兩方面GaN都還有許多可以改善的空間。
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