1．ＰＮ結的形成 
（1）當Ｐ型半導體和Ｎ型半導體結合在一起時，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴散的結果就使Ｐ區和Ｎ區中原來的電中性條件破壞了。Ｐ區一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，Ｎ區一側因失去電子而留下不能移動的正離子。這些不能移動的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區和Ｎ區交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區，這就是我們所說的 ＰＮ結 。
　　（2）在這個區域內，多數載流子已擴散到對方并復合掉了，或者說消耗殆盡了，因此，空間電荷區又稱為 耗盡層 。 
　　（3）Ｐ區一側呈現負電荷，Ｎ區一側呈現正電荷，因此空間電荷區出現了方向由Ｎ區指向Ｐ區的電場，由于這個電場是載流子擴散運動形成的，而不是外加電壓形成的，故稱為 內電場 。 
　?。?）內電場是由多子的擴散運動引起的，伴隨著它的建立將帶來兩種影響：一是 內電場將阻礙多子的擴散 ，二是P區和N區的少子一旦靠近PN結，便在內電場的作用下漂移到對方， 使空間電荷區變窄 。 
　?。?）因此， 擴散運動使空間電荷區加寬，內電場增強，利于少子的漂移而不利于多子的擴散；而漂移運動使空間電荷區變窄，內電場減弱，利于多子的擴散而不利于少子的漂移。 
　　 當擴散運動和漂移運動達到動態平衡時，交界面形成穩定的空間電荷區，即 ＰＮ結處于動態平衡 s。 
2．ＰＮ結的單向導電性 
　　（1） 外加正向電壓 （正偏） 
　　 在外電場作用下，多子將向ＰＮ結移動，結果使空間電荷區變窄，內電場被削弱，利于多子的擴散而不利于少子的漂移，擴散運動起主要作用。結果，Ｐ區的多子空穴將源源不斷的流向Ｎ區，而Ｎ區的多子自由電子亦不斷流向Ｐ區，這兩股載流子的流動就形成了ＰＮ結的正向電流。 
　　（2） 外加反向電壓 （反偏） 
　　 在外電場作用下，多子將背離ＰＮ結移動，結果使空間電荷區變寬，內電場被增強，利于少子的漂移而不利于多子的擴散，漂移運動起主要作用。漂移運動產生的漂移電流的方向與正向電流相反，稱為反向電流。 因少子濃度很低，反向電流遠小于正向電流 。 
　　 當溫度時，少子濃度，反向電流不隨外加電壓而變化，故稱為 反向飽和電流 。 
3.二極管的基本應用電路 
（1）限幅電路---利用二極管的單向導電性和導通后兩端電壓基本不變的特點組成。           
（2）箝位電路---將輸出電壓箝位在數值上。        
　　 注：黑色---輸入信號，藍色---輸出信號，波形為用ＥＷＢ結果。
X7R性質：
　　1. 介電常數可達到3000，容溫變化率小于15％，介電損耗小于3.5%；
　　2. 粉體粒徑250-300nm，燒成陶瓷晶粒尺寸300-400nm。
用途：
　　1. 此介質材料為環保型粉料；
　　2. 適合于制備薄層大容量賤金屬內電極多層陶瓷電容器的生產：單層陶瓷膜片厚度5～10mm；層數從幾十到幾百層；電容量從 0.1 nF 到100 nF；
　　3. 由于瓷粉粒度小，分散性好，因此不需要再進行劇烈的球磨，以免改變瓷料的晶粒性質，使性能劣化。