PAGOODA 場效應(yīng)管廠家直銷
一般是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。
場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
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