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貼片二極管在SiC驅(qū)動電路中的開關(guān)損耗優(yōu)化

文章出處:平尚科技 責(zé)任編輯:平尚科技 發(fā)表時間:2025-05-08
  
?貼片二極管在SiC驅(qū)動電路中的開關(guān)損耗優(yōu)化



在電動汽車高壓化趨勢下,碳化硅(SiC)器件憑借高頻、高效特性逐步取代傳統(tǒng)硅基器件,但其驅(qū)動電路中的貼片二極管開關(guān)損耗(如反向恢復(fù)損耗、導(dǎo)通損耗)仍制約系統(tǒng)能效的進(jìn)一步提升。平尚科技基于AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的貼片二極管技術(shù),通過材料、封裝與算法的全鏈路創(chuàng)新,重新定義SiC驅(qū)動電路的能效邊界。





SiC驅(qū)動電路的開關(guān)損耗挑戰(zhàn)
SiC MOSFET的開關(guān)頻率可達(dá)MHz級,但傳統(tǒng)硅基快恢復(fù)二極管在高速開關(guān)場景中面臨顯著瓶頸:

  • 反向恢復(fù)損耗(Qrr):二極管關(guān)斷時反向電?流拖尾導(dǎo)致能量損耗,某車企800V OBC模塊中,Qrr損耗占總開關(guān)損耗的40%,溫升達(dá)25℃;
  • 導(dǎo)通壓降(Vf):高Vf(>1.2V?)引發(fā)導(dǎo)通損耗,在200A峰值電流下,二極管溫升超30℃,需額外散熱設(shè)計;
  • 寄生參數(shù)影響:封裝電感(>5nH)與電容?(>50pF)導(dǎo)致電壓振蕩,加劇EMI噪聲與開關(guān)應(yīng)力。




平尚科技的開關(guān)損耗優(yōu)化方案
平尚科技以“材料-結(jié)構(gòu)-算法”三級協(xié)同策略,推出三項核心技術(shù):

1. 碳化硅基肖特基二極管(SiC SBD)
采用SiC肖特基結(jié)構(gòu)替代傳統(tǒng)PN結(jié)二極管,利用其零反向恢復(fù)特性,Qrr從50nC(硅基)降至5nC,反向恢復(fù)時間(trr)<5ns。結(jié)合低阻外延層設(shè)計,Vf壓降至0.7V(@25A),導(dǎo)通損耗減少40%。


2. 低電感封裝技術(shù)
設(shè)計倒裝芯片(Flip-Chip)與銅柱互聯(lián)結(jié)構(gòu),封裝寄生電感壓縮至0.5nH,寄生電容<10pF。配合開爾文引腳布局,驅(qū)動回路電感降低60%,開關(guān)振蕩幅值從30%壓降至5%。

3. 智能驅(qū)動算法
集成自適應(yīng)死區(qū)時間控制模塊,根據(jù)負(fù)載電流與溫度實時調(diào)整驅(qū)動信號上升/下降時間(tr/tf),將開關(guān)損耗動態(tài)優(yōu)化15%。在輕載工況下,通過脈沖跳躍模式(PSM)進(jìn)一步降低損耗。





實測數(shù)據(jù)與能效驗證
在800V/50kW車載充電機(OBC)的對比測試中,平尚科技方案性能全面領(lǐng)先:

  • 開關(guān)損耗:25kHz開關(guān)頻率下,單次開關(guān)損耗從2μJ降至0.6μJ,總損耗降低70%;
  • 系統(tǒng)能效:峰值效率從96%提升至98.5%,滿載溫升從45℃降至28℃;
  • EMI性能:30MHz~1GHz頻段輻射噪聲降低12dB,通過CISPR 25 Class 5認(rèn)證。

行業(yè)案例:從實驗室到量產(chǎn)突圍


1. 某車企800V高壓OBC模塊

  • 問題:傳統(tǒng)二極管導(dǎo)致OBC效率僅95%,充電時模塊表面溫度超80℃,用戶投訴充電速度下降;
  • 方案:采用平尚SiC SBD(TO-247-4L封裝),優(yōu)化驅(qū)動電路布局;
  • 效果:效率提升至98.2%,溫升降低至52℃,充電時間縮短20%。

2. 商用車電驅(qū)系統(tǒng)逆變器

  • 挑戰(zhàn):重載工況下二極管溫升引發(fā)系統(tǒng)降額,輸出功率受限15%;
  • 創(chuàng)新:部署平尚低電感貼片二極管(DFN5×6封裝),結(jié)合液冷散熱;
  • 成果:峰值電流耐受能力提升至300A,功率輸出恢復(fù)至100%,通過ISO 16750-4振動測試。




未來方向:集成化與智能化升級
平尚科技正推進(jìn):

  • 全集成SiC模組:將二極管、MOSFET、驅(qū)動IC封裝于單一模塊,寄生電感<0.2nH,功率密度提升3倍;
  • AI驅(qū)動的損耗預(yù)測:通過實時監(jiān)測開關(guān)波形訓(xùn)練模型,動態(tài)優(yōu)化驅(qū)動參數(shù),能效再提2%;
  • 車規(guī)級GaN二極管:研發(fā)耐壓1200V的氮化鎵二極管,開關(guān)頻率突破10MHz,適配下一代無線充電系統(tǒng)。

平尚科技以SiC驅(qū)動電路的能效需求為切入點,通過車規(guī)級貼片二極管技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)開關(guān)損耗大幅降低,結(jié)合AEC-Q101認(rèn)證與實測驗證,為電動汽車高壓系統(tǒng)提供高頻、高效、高可靠的二極管解決方案。
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