在AI加速卡和精密測量設(shè)備的供電系統(tǒng)中，線性穩(wěn)壓器(LDO)的噪聲性能和精度直接影響著信號處理的質(zhì)量。作為LDO電路中的基礎(chǔ)元件，貼片電阻和電容的選擇對整個電源系統(tǒng)的性能表現(xiàn)具有決定性作用。平尚科技基于工業(yè)級技術(shù)積累，為高精度LDO電源提供了專業(yè)的元器件選型方案。
噪聲控制是LDO設(shè)計的首要考量因素。平尚科技的薄膜貼片電阻采用特殊的調(diào)阻工藝和封裝結(jié)構(gòu)，在1Hz至10kHz頻率范圍內(nèi)的噪聲電壓可控制在0.1μV/V以下。與普通厚膜電阻相比，這種低噪聲特性在模擬傳感器供電電路中表現(xiàn)得尤為明顯：當(dāng)LDO為高精度ADC供電時，采用優(yōu)化電阻的方案可將電源噪聲從15μVRMS降低至5μVRMS以下，有效提升了信號采集的信噪比。
溫度穩(wěn)定性對長期精度具有重要影響。平尚科技的精密貼片電阻通過優(yōu)化材料配方和工藝參數(shù)，在-55℃至125℃溫度范圍內(nèi)的阻值變化率可控制在±50ppm/℃以內(nèi)。相比之下，普通電阻在相同溫度區(qū)間的變化可能達(dá)到±200ppm/℃。這種穩(wěn)定性確保了在AI推理設(shè)備長時間運(yùn)行過程中，LDO的輸出電壓精度始終維持在±0.5%以內(nèi)。
電容的介電特性對濾波效果至關(guān)重要。平尚科技的C0G介質(zhì)貼片電容采用特殊的陶瓷配方，在1MHz頻率下的介電損耗角正切值可控制在0.1%以內(nèi)。在LDO的輸出濾波電路中，這種低損耗特性使得電容在高頻段仍能保持良好的阻抗特性，將輸出紋波電壓抑制在10μVRMS以下。實測數(shù)據(jù)顯示，采用C0G電容的LDO電路，其電源抑制比(PSRR)在100kHz頻率下可達(dá)60dB以上。
長期可靠性是工業(yè)應(yīng)用的基本要求。平尚科技的貼片電阻通過改進(jìn)電極結(jié)構(gòu)和保護(hù)涂層，在85℃/85%相對濕度環(huán)境下經(jīng)過1000小時測試后，阻值變化不超過±0.2%。配合具有穩(wěn)定介電特性的貼片電容，確保LDO電源在惡劣環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
在實際應(yīng)用案例中，平尚科技的解決方案已成功應(yīng)用于多個AI項目。某國產(chǎn)AI視覺處理卡的核芯電源采用優(yōu)化選型的LDO電路后，將輸出噪聲控制在8μVRMS以內(nèi)，同時將負(fù)載調(diào)整率提升至±0.05%。這些參數(shù)完全滿足國內(nèi)AI芯片廠商對電源質(zhì)量的嚴(yán)格要求。
電壓基準(zhǔn)電路中的電阻匹配需要特別關(guān)注。平尚科技通過精密的阻值篩選，將分壓電阻對的比值精度控制在±0.05%以內(nèi)。在LDO的反饋網(wǎng)絡(luò)中，這種精密的匹配關(guān)系確保了基準(zhǔn)電壓的準(zhǔn)確性，使得輸出電壓的初始精度達(dá)到±0.1%。
布局設(shè)計對噪聲抑制同樣重要。平尚科技建議采用星型接地布局，將噪聲敏感元件盡可能靠近LDO芯片放置。通過合理的電源分割和屏蔽設(shè)計，可將高頻噪聲的耦合降低約40%，顯著提升信號的完整性。
成本優(yōu)化需要通過系統(tǒng)設(shè)計來實現(xiàn)。平尚科技通過提供不同等級的產(chǎn)品系列，幫助客戶在性能和成本之間找到最佳平衡點。例如，在關(guān)鍵電路使用高精度型號，而在一般電路采用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，這樣既確保了系統(tǒng)性能，又將整體成本控制在合理范圍內(nèi)。
隨著AI設(shè)備對電源精度要求的不斷提高，超低噪聲LDO的設(shè)計將更加重要。平尚科技通過持續(xù)優(yōu)化貼片電阻和電容的性能參數(shù)，為高精度電源系統(tǒng)提供了可靠的元器件解決方案，助力國產(chǎn)AI硬件實現(xiàn)更優(yōu)異的性能表現(xiàn)。
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